單面光刻機(jī)系統(tǒng)，本系統(tǒng)針對各大專院校、企業(yè)及科研單位，對光刻機(jī)使用特性研發(fā)的一種高精度光刻系統(tǒng)。

一、單面光刻機(jī)系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)

1.曝光時間調(diào)解器：0.1至999.9秒(可調(diào)節(jié)精度0.1s)；
2.365-400nm光強(qiáng)傳感及電源供應(yīng)控制電路及反饋閉環(huán)；
3.聲控功率警報(bào)裝置可防止系統(tǒng)功率超過設(shè)定指標(biāo)；
4.有安全保護(hù)裝置的溫度及其氣流傳感器；
5.全景準(zhǔn)直透鏡光線偏差半角: <1.84度；
6.波長濾片檢查及安裝裝置；
7.抗衍射反射功能高效反光鏡；
8.二向色的防熱透鏡裝置；
9.防汞燈泄漏裝置；
10.配備蠅眼棱鏡裝置；
11.配備近紫外（或深紫外）光源
 --220nm輸出強(qiáng)度–大約8-10 mW/cm2

 --254nm輸出強(qiáng)度–大約12-14 mW/cm2
 --365nm輸出強(qiáng)度–大約18-20 mW/cm2

 --400nm輸出強(qiáng)度–大約30-35 mW/cm2

12.主要配置：6“，8"光源系統(tǒng)，可支持2“，3"，4“，6"，8“（圓/方片）及碎片光刻。
13.手動系統(tǒng)，半自動系統(tǒng)。
14.支持電源350-2000 。
15.支持深紫外近紫外波長（可選項(xiàng)）。
16.支持背后對準(zhǔn)及MEMS工藝要求。
17.CCD或顯微鏡對準(zhǔn)系統(tǒng)。
18.主要性能指標(biāo)：光強(qiáng)均勻性Beam Uniformity:--<±1% over 2"。 區(qū)域，--<±2% over 4"區(qū)域，--<±3% over 6"區(qū)域。
19.接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：0.5 um。
20.接觸式樣曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um。
21.支持接近式曝光，特征尺寸CD：--0.8um 硬接觸，--1um 20um間距時，--2um50um間距時，正面對準(zhǔn)精度±0.5um，背面對準(zhǔn)精度±1um--±2um（Depends on user），支持正膠、負(fù)膠及Su8膠等的厚膠光刻，特征尺寸：100um-300um，支持LED優(yōu)異電流控制技術(shù)PSS工藝光刻，支持真空、接近式、接觸式曝光，支持恒定光強(qiáng)或恒定功率模式。

二、主要用途 

⒈ 本機(jī)針對各大專院校、企業(yè)及科研單位，對光刻機(jī)使用特性研發(fā)的一種高精度光刻機(jī)。

⒉ 由于本機(jī)找平機(jī)構(gòu)先進(jìn)，找平力小、使本機(jī)不僅適合單晶硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片、的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

3.工作方式 ：本機(jī)為單面對準(zhǔn)、單面曝光。

三、主要構(gòu)成：主要由高精度對準(zhǔn)工作臺、雙目分離視場顯微鏡顯示系統(tǒng)、曝光頭、氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式無油真空泵、防震工作臺和附件等組成。

四、主要功能特點(diǎn)

1.適用范圍廣：適用于Φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準(zhǔn)曝光。

2.結(jié)構(gòu)先進(jìn)：具有半球式找平機(jī)構(gòu)和可實(shí)現(xiàn)真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機(jī)構(gòu)。 

3.操作簡便：采用翻板方式取片、放片；按鈕、按鍵方式操作，可實(shí)現(xiàn)真空吸版、吸片、吸浮球、吸掃描鎖等功能，操作、調(diào)試、維護(hù)、修理都非常簡便。

4.可靠性高：采用進(jìn)口電磁閥、按鈕、定時器；采用dute的氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)和精密的機(jī)械零件，使本機(jī)具有非常高的可靠性。

5.特設(shè)“碎片"處理功能：解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準(zhǔn)的問題。